超聲波壓電陶瓷片的位移估算是利用逆壓電效應(yīng)，即向壓電陶瓷施加電壓，壓電陶瓷將在電場的影響下發(fā)生變形位移。

　　 1. 位移的粗略估計

　　 最大耐壓下的超聲波壓電陶瓷片的位移通常為位移方向長度的約1‰，例如，1 mm厚的陶瓷片，最大耐壓為1000 v，最大耐壓為1000 v，厚度方向的最大位移約為1 μm。

　　 2. 超聲波壓電陶瓷片的位移估算；

　　 其中: u :外加電壓[ v ]，h :陶瓷高度[ m ]，e :電場強度[ v / m ]，d :壓電系數(shù)[ m / v ]，w :陶瓷寬度[ m ]。

　　 從以上公式可以看出，片狀超聲波壓電陶瓷片的位移僅與材料和提供的電壓有關(guān)，但是對于相同的材料，只要施加相同的電壓，不同高度的陶瓷片產(chǎn)生的位移基本上是相同的(記住:電壓不能超過可以承受的最大電壓)。

　　 根據(jù)這個計算公式，其他形狀也可以用來估計位移。

　　 3. 單層陶瓷在共振頻率點工作時產(chǎn)生的振幅最大。

　　 當(dāng)感測或發(fā)電時，估計輸出電壓

　　 當(dāng)超聲波壓電陶瓷芯片用作傳感器時，它利用其正壓電效應(yīng)I.e. 它通過施加外力來輸出電荷而變形。

　　 輸出電壓理論估算公式:

　　 其中: d33 :是材料常數(shù)，f :是力，h :是高度，r :是晶片的半徑。

　　 例如，晶片NCE41 - DISC - OD20 - TH5的材料系數(shù)為25. 5 * 1013，當(dāng)施加12500 N力時，理論估算電壓為5000V。

       單層陶瓷的型號選擇:超聲波壓電陶瓷片產(chǎn)品通常是大規(guī)模定制的，所以我們不提供超聲波壓電陶瓷片組件作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。 然而，也將有一些模型庫存. 建議您從庫存中選擇型號進行性能測試，供貨時間短，成本控制簡單。